型号:

PHD98N03LT,118

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH 25V 75A SOT428
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
PHD98N03LT,118 PDF
标准包装 2,500
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5.9 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 40nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3000pF @ 20V
功率 - 最大 111W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
其它名称 934056847118
PHD98N03LT /T3
PHD98N03LT /T3-ND
相关参数
TR3E337M010C0100 Vishay Sprague CAP TANT 330UF 10V 20% 2917
RJR26FP100P Bourns Inc. TRIMMER 10 OHM 0.25W TH
TR3E336M025C0175 Vishay Sprague CAP TANT 33UF 25V 20% 2917
RJR26FP100M Bourns Inc. TRIMMER 10 OHM 0.25W TH
DSI35-08A IXYS DIODE CATH 800V 49A DO-203AB
PHD96NQ03LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 25V 75A SOT428
DS35-08A IXYS DIODE ANODE 800V 49A DO-203AB
3006P-1-504Z Bourns Inc. TRIMMER 500K OHM 0.75W TH
DSAI17-18A IXYS DIODE AVAL 1800V C DO-203AA
PHD78NQ03LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 25V 75A SOT428
TC4431CPA Microchip Technology IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-DIP
3006P-1-502Z Bourns Inc. TRIMMER 5K OHM 0.75W TH
DSEP30-06CR IXYS DIODE FRED 600V 30A ISOPLUS247
3006P-1-501Z Bourns Inc. TRIMMER 500 OHM 0.75W TH
DSEI120-12A IXYS DIODE HFRED 1200V 60A TO-220AC
PHD66NQ03LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 25V 66A SOT428
TC4425EOE Microchip Technology IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC
B32652A7333J EPCOS Inc CAP FILM 0.033UF 1.25KVDC RADIAL
DSAI17-12A IXYS DIODE AVAL 1200V C DO-203AA
TC4424EOE Microchip Technology IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC